芯片|国产4nm芯片量产，老美封锁彻底失败，重大技术还是虚假宣传？( 四 ) 光刻机|台积电|it芯片

这些材料，基本无法逆向分析出技术及含量，因此“模仿”不了。这些材料的制造需要精细的工艺及操作步骤，同时需要长时间去沉淀经验。
例如，高纯度氟化氢需要将杂质控制在万亿分之一以下，没有充足的时间和耐心是不可能达到的。

再例如，光刻胶是光刻过程必须的材料，它由树脂型聚合物、光引发剂、溶剂、单体和其他助剂共同组成。
同时，光刻胶需要良好的分辨率、对比度，同时需要一定的敏感度、粘滞度、粘附性、抗蚀性，同时对表面张力、存储等也有很高的要求。
如何能满足7nm芯片制造的需求呢？这就需要搞清楚各种试剂的制作方法，比例，不能出现一丝一毫的误差。 2019年，台积电就出现了光阻材料污染，直接损失了近40亿人民币。
所以，要想掌握半导体材料的相关技术，没有几年功夫，不能一丝不苟、心无旁骛的潜心研究，是不可能掌握核心技术的。
而心无旁骛恰恰是我们最缺少的，大家一窝蜂的涌向金融、地产等来钱快的行业，谁还愿意搞费力不讨好的研究呢？
所以，半导体材料看似简单，其实更加考验我们的耐心。
写到最后
长电科技攻破了4nm封装技术，这固然是可喜可贺的，但凭此就认为我国已经量产了4nm芯片，着实夸张了点！
国内芯片真实现状是：2、3年时间可以实现28nm成熟工艺的全国产化，而7nm及以下工艺依然受制于架构、EDA软件、制造、EUV光刻机、半导体材料。
那么何时能够实现4nm芯片的量产呢？3年？5年?或者10年？这个很难说的准。
我的意思是，莫问前程，努力研发，希望就在前方！
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