路线|英特尔官方揭秘：为什么 7nm 被命名为 Intel 4？任命|副总裁|matt tall|供应链|汉

编译 | 吴优
编辑 | 李帅飞
今年 7 月，英特尔公布了最新的半导体制程和先进封装路线图：预计四年内完成 5 个工艺节点的推进，在高 NA EUV、3D-IC、小芯片、混合键合方面都提出新的战略目标——再一次向世界展示了英特尔的创新力。
路线公布当天，雷锋网就发文对此进行了深度解读。不过，这一展示英特尔雄心的战略路线图依然有很多细节等待挖掘。
【路线|英特尔官方揭秘：为什么 7nm 被命名为 Intel 4？】近日，在接受国外半导体媒体 Semiconductor Engineering 采访时，英特尔高级副总裁兼技术开发部总经理 Ann Kelleher，围绕英特尔最新的路线图展开了进一步讨论，回答了很多战略细节。

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英特尔高级副总裁兼技术开发部总经理 Ann Kelleher
新路线制定耗费 6 个月，当下是节点重命名的最佳时机
在英特尔最新公布的路线图中，最引人注目的是工艺节点的命名更新，不再采用 10nm、7nm 的命名规则，而是称之为 Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 18A 和 Intel 20A。
事实上，改变命名方式是为了消除外界对英特尔乃至整个芯片行业的误解。Kelleher 表示，整个行业在节点命名方面已经不再一致，如果仔细查阅相关论文，就能够找到为什么 “英特尔 10nm 相当于台积电 7nm” 的最佳答案。
“因此我们不得不考虑怎样做才能更容易让客户理解并权衡。现在，当客户再次看到我们的工艺节点名称时，能更好地做出决策。”
今年 3 月，英特尔对外公布了 IDM2.0 的愿景，并在过去 6 个月的时间里花费了大量精力制定了详细的路线图。
“路线图阐明了我们将如何恢复性能上的领先地位。鉴于我们正在向 IDM2.0，因此现在是重命名的最佳时刻。”Kelleher同时表示，目前公司将精力集中在转型升级上，解释节点名称并不是重点。
对于最终能否恢复性能上的领先地位，Kelleher 信心满满。
Kelleher 称，首先英特尔已经确定了项目路线，正投入大量的资金和研究；其次英特尔的技术开发部门拥有世界一流的工程师，正在转向行业标准提供设计支持。
去年年底，英特尔宣布 7nm（现在的 Intel 4）技术延迟让业界大失所望，现如今 7nm 又有了新进展。
“那时我们在整体工艺开发和缺陷密度方面重新设定了里程碑，同时开始研究并简化制造流程。我们在流程中增加了对 EUV 的使用，就能从原始版本切换到今年的新版本。”Kelleher 说道。
在英特尔工艺路线图中，计划今年年底发布 Intel 7，2022 年投入生产 Intel 4 并于 2023 年发布基于 Intel 4 相关产品；Intel 3 将于 2023 年下半年推出，Intel 20A 将在 2024 年紧随其后，再下一步便是 Intel 18A。
“我们从一个节点到下一个节点，每瓦性能增益比其他任何节点都要好，一定程度上能够弥补外部竞争基准上的时间差距。但是，如果想要追赶并继续前行，则需要加快脚步。凭借这一可靠的路线图，我们能够实现这一目标。”
保持 EUV 竞争优势，三年前已决定入股高数值孔径 EUV 光刻机
在英特尔公布的逻辑路线图中，伴随制程路线同时出现的，是 2024 年英特尔将要推出全新晶体架构 Ribbon FET。
“Ribbon FET是业内对 Gate-all-around 的另一种命名，也有人称之为 Nanosheet 或Nanoribbon，它是继 FinFET 的下一代晶体管架构。我们在 Intel 3 之前一直使用 FinFET，并将继续改进该工艺。等实现 Intel 20A 时，我们将在与行业其他产品大致相同的等效节点上使用 RibbonFET。”Kelleher 如此说道。
同为 IDM，与三星计划在 3nm 工艺中引入 Gate-all-around 技术相比，英特尔引入 Gate-all-around 技术更晚。对此，Kelleher 解释道，“基于内在优化，我们知道我们可以在 FinEFT 路线图上做出额外的改进，那么为什么不在过渡到新架构之前获得这些收益呢？我们可以从现有的 FinFET 中得到更多，然后才进入过渡阶段。”