三星|12nm后 DRAM怎么办?EUV光刻也不是万能药

追求更小的 DRAM 单元尺寸(cell  size)仍然很活跃并且正在进行中 。对于 D12 节点,DRAM 单元尺寸预计接近 0.0013 um? 。无论考虑使用 DUV 还是 EUV 光刻,图案化挑战都是重大的 。
【三星|12nm后 DRAM怎么办?EUV光刻也不是万能药】特别是,ASML 报告说当中心到中心(center-to-center)值达到 40 nm 时,即使对于 EUV ,也不推荐使用单一图案化 。
在本文中,我们将展示对于 12 纳米及更高节点的 DRAM 节点,电容器中心到中心预计将低于 40 纳米,因此需要多重图案化 。
存储电容器的 DRAM 单元布局
存储电容器排列成六边形阵列(图 1) 。有源区设计规则由位线间距和字线间距决定 。
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图 1. DRAM 单元网格上的存储节点(黄色) 。BLP=位线间距,WLP=字线间距 。
对于 0.001254 um?的单元尺寸和略低于 12 nm 的有源区设计规则,38 nm 的位线间距和 33 nm 的字线间距将导致 38 nm 的中心到中心和 32.9 nm 的对角线间距 。
对于 0.33 NA EUV 系统,六边形阵列将使用六极照明(hexapole illumination),其中每个极产生三光束干涉图案(图 2) 。四个象限极产生与其他两个水平极不同的模式 。这导致具有独立随机性的两个独立剂量分量 。这些被添加到最终的复合模式中 。
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图 2. DRAM 存储模式的六极照明由 4 个象限极(灰色)和两个水平极(黄色)组成 。根据照明方向,生成的三光束干涉图案具有特定方向 。
由于特征边缘处大量吸收的光子散粒噪声,图案放置误差的随机效应非常显着,正如参考文献中已经公开的那样,很容易超过 1 nm 的覆盖规格,较低的吸收剂量似乎明显更差(图 3) 。
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图 3. 38 nm x 66 nm cell(字线间距 = 33 nm)中中心柱的随机放置误差(仅 X),在 0.33 NA EUV 系统中具有预期的六极照明 。这里显示了两个吸收剂量的一系列 25 个不同实例 。
转到 0.55 NA 会增加焦点深度严重降低的问题 。NA 为 0.55 会导致 15 nm 散焦,导致最内层和最外层衍射级之间的相移 >50 度(图 4),这会由于褪色严重降低图像对比度 。
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图 4. 0.55 NA EUV 系统上的 15 nm 散焦导致最内层和最外层衍射级之间的相移 >50 度 。
因此,存储节点图案很可能需要由两个交叉线图案形成(图 5),每个交叉线图案可以通过 EUV 单次曝光或 DUV SAQP(自对准四重图案)形成,两种选择都是单掩模工艺 。
SAQP 工艺更成熟(早于 EUV)并且没有 EUV 的二次电子随机问题,因此它应该是首选 。
尽管如此,对于 SAQP 情况,间隔线必须在布局和线宽粗糙度方面得到很好的控制 。
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图 5. 存储节点图案可以由两个交叉线图案的交叉点形成 。
三星还展示了一种二维间隔蜂窝图案,而不是线型 SAQP,它使用具有起始蜂窝图案的单个掩膜,而不是具有起始线图案的两个掩膜 。
虽然上述情况考虑了 38 nm 位线间距和 33 nm 字线间距,但由于六边形对称性,它也适用于交换间距的情况(33 nm 位线间距和 38 nm 字线间距) 。