6月30日 ， 三星电子正式官宣 ， 已于韩国的华城工厂大规模开始量产3nm芯片 ， 与前几代使用的FinFET的芯片不同 ， 三星使用了GAA晶体管架构 ， 能极大改善芯片的功率以及效率 。
与之前的5nm相比 ， 新一代的3nm制程工艺降低了45%的功耗 ， 并且性能提升23%的同时减少16%的面积 。 三星还宣称 ， 第二代的3nmGAA制造工艺也尚在研发中 ， 下一代工艺将使芯片的功耗降低50% ， 性能提升30%并减少35%的面积 。 三星电子表示 ， 其GAA晶体管芯片将会应用于高性能、低功耗的计算领域 ， 并计划拓展到移动处理器 。 据外媒透露 ， 中国虚拟货币挖矿机芯片设计公司上海磐矽半导体将成为三星电子3nm工艺制程的首位客户 ， 而且高通也已经预定了三星3nm工艺制程的产能 。

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【三星官宣！全球首个量产3nm芯片的厂家】三星电子的3nm芯片采用了GAA架构通过降低电源电压和增强驱动电流的能力来有效提升功率 。 此外 ， 三星还在高性能智能手机处理器的半导体芯片中也应用过纳米片晶体管 ， 与纳米线技术相比 ， 前者拥有更宽的通道 ， 以及具备更高的性能和效率 。 三星的客户可通过调整纳米片的宽度 ， 来定制自己需要的功耗和性能指标 。
而作为对比 ， 台积电和英特尔则分别将于今年下半年以及明年下半年才开始大规模量产3nm制程工艺的芯片 。 其实也难怪三星选择如此激进的做法 ， 拼了老命也要赶在台积电前面量产3nm的芯片 ， 并且实现反超 。 众所周知 ， 台积电是世界上最先进的芯片代工厂 ， 其技术一直立于世界之巅 ， 而起步稍晚的三星在技术层面确实弱于台积电 。

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最直观的就是在5nm工艺时 ， 采用三星5nm工艺制程打造的骁龙8早早地就翻了车 ， 迫使高通不得不将之后的订单悉数交给台积电 ， 而由台积电代工的骁龙8+在性能功耗等各个方面都远超三星5nm工艺的骁龙8 。 这主要是因为三星的5nm工艺对比台积电的5nm工艺在晶体管密度这块就相差了35% 。 因此 ， 就连英伟达就宣布下一代40系显卡将采用台积电的N4工艺打造 ， 不带三星玩了 。

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好好的三星哪能受这气 ， 所以三星早早地就计划好了要在3nm时一定要领先台积电并且实现反超 。 而之前三星就已经陷入了良率困境 ， 据传言称三星的4nm工艺的良品率仅有35% ， 低到高通和英伟达都无法接受 ， 也因此三星在内部彻查用于提升良品率的资金流向 。
不过台积电也没闲着 ， 早早就宣布将计划在2025年实现2nm芯片的量产 。 两家巨头在芯片行业的军备竞赛即将拉开帷幕 ， 又或者说从未停歇只是如今又硝烟四起 。

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