国产芯片或将跨过5nm？清华教授魏少军：需要攻克这3个关键技术魏少军再一次对国内半导体发

【国产芯片或将跨过5nm？清华教授魏少军：需要攻克这3个关键技术】魏少军再一次对国内半导体发声了
为什么说"再一次" ，或许有印象的朋友都记得前不久也是魏少军对国内半导体的表态，但是被骂惨了，主要是他的想法是"替代不应该是主旋律" 。

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在当下，国内造芯热潮一波接一波， "替换"是我们势在必行的事情，这个时候作为一个专家教授却说替代不应该是主旋律，多少令人不解，而这一次他指出攻克3个关键技术，国产芯片有望跨过5nm 。

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集成电路技术分叉口
前不久中国半导体行业协会集成电路设计分会理事长魏少军，在2020中国（上海）集成电路创新峰会上指明了方向。
魏少军表示现在的集成电路再一次遇到了分叉口"新器件、新材料、新工艺，微纳系统集成外加芯片架构这三大领域的创新，将成为中国集成电路领域跨越5nm工艺的过程中"（引用）。
架构的创新、器件结构的选择、异质器件系统集成等都是很关键。
有困难，也有转机，而国内也在积极应对。

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比如新型材料， 8英寸石墨烯晶圆。而中科院相关团队也表示"不管在产品尺寸、产品质量方面均处于国际领先地位" 。
其实很多网友对"8英寸石墨烯晶圆"还是有很多看法，一种是说这是我们的"弯道超车" ，是一个革新。但是另一个看法就是，此举目前还处于概念状态，实验室的产品，想要商业化还有很长一段路要走，到最后会是什么样，还说不好。
但不可否认的是，在这方面，我们算是有了很大的突破。并且8英寸的碳基单晶晶圆已经进入小批量试产阶段。

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但除了这些，国内半导体的发展还有很多困难，就像中科院教授刘云表示国内科技是"大而不强" ，而我们被卡脖子的技术不单单是光刻机，还有芯片，操作系统，手机射频器件，激光雷达等35项关键技术，都处于被卡脖子状态。

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中芯国际的3nm
最近闹得人人皆知的中芯国际梁孟松离职一事，相信大家都知道了。
暂且不说梁孟松从28nm到14nm的量产，以及到N+1制程的流片有多成功，也不说"新上任"的蒋尚义将会"牵线"与ASML就EUV光刻设备进行的谈判。只说一下梁孟松辞职信所说的内容，也可以看出国内半导体发展到什么地步。
这封信写什么不重要，但是这一段却爆出中芯国际的进度在哪："N＋2和3nm相关工作已经有序展开，只待EUV光刻机的到来，就可以进入全面开发阶段。 "
3nm ，只等EUV光刻机的到来。

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很多人说中芯国际现在还是14nm ，不少人对这个14nm能不能抗打还持怀疑态度，并且台积电已经实现5nm量产，于是，大家都急了。
"弯道超车"、"高速发展"确实是我们想看到的局面，但我们也面临着众多困难，就像现在的中芯国际，一来是被纳入"实体清单" ，二来ASML能不能把EUV光刻机卖给我们都不好说。

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想要"弯道超车" ，实现中国芯的崛起，我们还有很长一段的路要走。这是一个持久战，面对的挑战还有很多，需要一步一个脚印，脚踏实地的去攻克，才能有更多的突破。