芯片|光量子芯片迎来技术性突破，华为再次立功了！华为|it芯片

文章图片

文章图片

文章图片

光量子迎来技术性突破，华为再次立功了！
在芯片规则的限制下，国内半导体领域的处境尤为艰难，华为的芯片供应渠道长时间被切断，这也直接导致营收下滑严重，但好在任正非坚持20%总营收的研发经费投入，成功开辟出了一条“康庄大道”!
目前市场上所采用的都是硅基芯片，技术建立在欧美技术体系下，特别是美企有着大量的核心专利，即便是台积电、ASML这样的顶级企业，也无法绕开它们的核心技术，只有找到可替代的材料和技术，才能摆脱掌控。

华为深受相关限制困扰，因此更懂得技术自研的重要性，在布局全产业链技术上尤为卖力，目前市面上呼声最高的量子芯片，而华为在这方面已经取得了决定性的突破，这是否能够改变半导体市场方向呢？
光量子芯片的优势台积电是全球最顶尖的芯片代工厂，而ASML是唯一能够制造EUV光刻机的厂商，这两家企业的相辅相成，已经成功将制程工艺提升到了3nm量产水平，可以说限制了这两家企业，就限制住了一个国家在高端芯片领域的发展。
而老美就是利用了这一个“漏洞” ，一步步让这两家企业成为了“棋子” ，无法摆脱含美技术，台积电、ASML也只能妥协，成为了限制中国半导体市场的“工具” ，就此也让中企明白了只有诞生独立于硅基芯片之外的技术，才能够彻底的解决问题。

老美的强行干预，也直接打断了国际芯片产业链，各个国家和地区不再相信国际合作，加速了技术自研的步伐，而对于中国市场而言，现如今已经没有退路了，目前主要分成两条路走，其一坚持硅基芯片路线，寻找合适的机会突破到先进工艺，其二就是研发可替代的技术。
而在量子芯片是一个空白领域，没有过多的欧美技术专利渗入，也成为了中企突破的绝佳机会，目前各种实验数据已经证实，光量子芯片是有别于硅基芯片的，采用的是磷化铟、砷化镓等第二代半导体材料，在传输速度上是硅基的1000倍。

两种芯片的制备程序存在很大区别，光量子芯片侧重点在外延伸与制备环节上，而硅基芯片则在光刻环节，这意味着光量子芯片不需要太高的光刻设备，据悉目前国产的设备就能满足需求，一旦研发成功是可以摆脱EUV光刻机的，这就是国内加大研发的原因。
根据媒体报道，国内首条“多材料、跨尺寸”的光子芯片生产线已经在筹备当中，预计在2023年就能够实现量产，意味着之后我们可以直接走IDM模式，不再需要依赖于国际供应链了，摆脱了含美的技术就意味着有了希望。

【芯片|光量子芯片迎来技术性突破，华为再次立功了！】最为关键的是，在光量子芯片领域，很多的技术专利都是自己的，核心技术专利占比中企还占优，这也能够很好地起到制衡作用，在硅基芯片上没有话语权，就是因为缺少核心技术的加持，这一次我们不会再输了。
华为立功了自从华为诞生了5G技术开始，就开始被欧美国家针对了，想尽各种办法阻碍其国际合作，但越是在困境之下，华为成长的越是快，麒麟芯片的诞生，已经证实了华为在芯片领域的能力，这也让老美忧心忡忡，时刻都想着如何限制发展。