realme GT Neo 5|尼康造出7nm光刻机，佳能押注5nm NIL光刻机，ASML慌了么？充电器

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知道光刻机故事的人都清楚，在ASML之前，日本的尼康、佳能才是老大哥。
不过在ARF光刻机时，也就是采用193nm的干式光刻机的时候，发生了分歧，日系厂商认为要继续研发使用波长更短的光源比如165nm ，来提高光刻分辨率。
但是165nm波长的光线非常不稳定，研究了几年，大家都没进展。

【realme GT Neo 5|尼康造出7nm光刻机，佳能押注5nm NIL光刻机，ASML慌了么？】这时台积电的林本坚站了出来，表示以前的光刻机是用空气做介质的。如果采用水为介质，利用水的折射，采用193nm的光源，在水的折射下可以等效于134nm ，比165nm的光线分辨率更好，还跳过了165nm这个难搞的光源。
但尼康、佳能不信，打算一条道走到黑，继续研究165nm光源，不用水为介质。
而ASML还是小厂，就打算搏一搏，说不定单车变摩托了呢？于是ASML与台积电合作，制造以水为介质的浸润式光刻机。这一搏就成了ASML的翻身之作，第一台浸润式光刻机ARFi制造出来，采用193nm波长，但等效于134nm ，马上投入台积电的生产线上，效果非常好。

而佳能、尼康不认输，坚持不造这种以水为介质的光刻机，于是市场慢慢的全被ASML抢走了，后来ASML更是造出了EUV光刻机，独家垄断了光源等等。导致尼康、佳能一蹶不振，再也翻不了身。
后来尼康认错，也开始接受现实，制造浸润式光刻机，但佳能死都不认错，坚持不造浸润式光刻机。如今除了ASML ，日本尼康也能够量产用于生产7nm及以下制程的浸润式光刻机，也就是DUV中的ARFI光刻机。

而佳能则转身研究“纳米压印光刻（NIL）”技术去了，想要颠覆ASML的EUV光刻机技术，要换道超车。
目前佳能已经造出了NIL光刻机，且已经与内存厂商铠侠合作，用于制造内存芯片，不过分辨率还不够理想，但前方已经看到光亮了，佳能表示，很快可以达到5nm的分辨率。
按照佳能的报表， 2022年光刻机的营收增长11% 。但表示2023年要重金投入光刻机，产能要提升两倍，同时再押注NIL光刻机技术，尽快实现5nm精度。

与ASML不一样， ASML的光刻机依赖美国的技术，但日本的光刻机，不管是尼康的、还是佳能的，基本上都是自主可控的，不需要美国的技术，不受美国的长臂管辖。
所以我们看到美国赶紧联手日本，来围堵中国半导体产业，就是怕日本卖光刻机给中国。
但不可否认的是，虽然美国已经联手日本，但日本光刻机能否卷土重来可能会成为现实，而借助中国市场，实现光刻机产业的“弯道超车” ，可能也会是日本光刻机厂商们的选择之一，就看筹码够不够了。