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前两天的上海外宣发布会上 ， 在提到集成电路时表示 ， 上海的企业已实现14纳米先进工艺规模量产 ， 同时提到90nm光刻机实现突破 。
这一消息咋一看很是让人费解 ， 在为14nm芯片实现规模量产振奋的同时 ， 大家不免疑惑 ， 国产90nm光刻机真的能用于14nm芯片的量产吗？
从理论角度出发 ， 并非90nm光刻机只能用于生产90nm及以上制程的芯片 ， 若经过多次曝光 ， 制程是可以缩短的 ， 比如90nm光刻机经两次曝光、三次曝光之后 ， 得到的芯片是45nm和22nm 。
因此理论角度上 ， 90nm光刻机生产14nm芯片可行 ， 多次曝光即可 ， 极限是7nm制程 。
当然多次曝光并非最优选择 ， 曝光次数越多 ， 那么良品率越低 ， 同时成本也会随着曝光次数的增多而陡增 。 若想获得更短制程的芯片 ， 无限曝光是不可行的 ， 终归还是要依赖更先进的EUV光刻机 。
【光刻机|中芯国际实现14nm芯片规模量产，用的是进口还是国产90nm光刻机？】
但是在“卡脖子”的大背景 ， 显然想要从荷兰ASML公司进口EUV光刻机是不可能的 ， 既然宣布实现了14nm芯片的规模量产 ， 途径可能是以下两种之一：
一是多次曝光技术上实现了突破：
通过多次曝光来生产短制程芯片并非不可行 ， 强有力的证据就是当年ASML公司还尚未推出EUV光刻机的时候 ， 台积电就利用DUV光刻机多次曝光实现了14nm芯片的量产 。
如果中芯国际复刻台积电多次曝光技术 ， 同时加以优化 ， 那么14nm制程规模量产并非天方夜谭 。
另外 ， 虽然对外宣称的是90nm光刻机“实现突破” ， 但结合以往的信息 ， 90nm可能有点保守和低调了 ， 事实上早前上海微电就曾透露28nm光刻机即将进入量产阶段 ， 只差验收合格这临门一脚 。
若部分28nm光刻机真的交付了 ， 那么技术优化后的多次曝光技术就完全可行了 ， 理论上只要曝光两次就可以得到14nm芯片 ， 良品率可以保证 ， 同时成本也能得到控制 。
通过最先进的28nm光刻机 ， 以两次曝光来实现14nm制程芯片的量产 ， 这可能是中芯国际走的一条路线 。
二是依附于从ASML公司进口的光刻机：
只宣布14nm芯片实现了规模量产 ， 却没有说明依附的是国产还是进口光刻机 ， 这给大家留下了足够想象的空间 。
结合去年3月份的消息 ， 中芯国际曾披露过一份购买协议 ， 买方是中芯国际 ， 卖方是荷兰ASML公司 ， 此次购买的总价高达12.02亿美元 。
虽然中芯国际未公布订单包含的产品或机器型号 ， 只披露是深紫外线光刻技术 ， 但当时上海微电就已经掌握了90nm光刻机 ， 同时在28nm光刻机上有较大突破 ， 所以这批采买的DUV光刻机大概率是28nm 。
今年的第一季度 ， ASML公司向中芯国际交付了23台DUV ， 在此基础上中芯实现14nm芯片的量产并非难事 。
用进口DUV光刻机实现14nm芯片的规模量产 ， 这可能是中芯国际走的另一条路线 。
实际上翻阅以往的信息 ， 早在2019年的时候 ， 中芯国际就曾宣布14nm芯片实现了“风险量产” 。
3年时间过去了 ， 无论是依附于国产90nm、28nm国产光刻机 ， 通过多次曝光的技术优化实现14nm工艺规模量产 ， 或是依赖进口DUV光刻机实现量产 ， 都算是取得了重大性突破 ， 可喜可贺 。
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