战况激烈！三星有望年内推出236层NAND闪存据韩国媒体BusinessKorea报道

据韩国媒体BusinessKorea报道，当前全球最大的存储芯片制造商三星电子，计划在本月新设立一个研发中心，负责研发更先进的NAND闪存。并且三星已经完成了第八代V-NAND技术产品的开发，堆栈层数达到了236层，有望年内进行量产。

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三星电子之所以设立研发更先进NAND闪存的研发中心，是因为其竞争对手已研发出先进产品， SK海力士已宣布研发出了238层NAND闪存，预计明年上半年大规模量产；美光也开始了232层NAND闪存的量产， NAND闪存研发领域竞争激烈。

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从研究机构的数据来看，三星电子目前在NAND闪存市场的份额，远高于其他厂商，就今年一季度而言，三星电子的份额高达35.3% ，第二大厂商铠侠的份额为18.9% ， SK海力士的份额则为18% 。
三星曾在2013年时凭借24层V-NAND闪存领先竞争对手数年之久，当时的SK海力士和美光也是花了好长时间才追上三星的步伐。如果三星未来要想在NAND闪存市场继续占有优势，势必就需要不断研发更先进的产品。目前已知三星的NAND闪存为第七代V-NAND技术，堆栈层数为176层，不仅落后SK海力士和美光，甚至长江存储基于Xtacking3.0技术的第四代3DTLC闪存堆栈层数也达到了200+ 。

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不过三星还是有一定实力的，早在2021年中时，三星就生产了首批200+层数的V-NAND内存，当时只是样品，但也为三星累计了足够的技术经验。据传第八代V-NAND闪存将具有更高的存储密度，堆栈层数将达到236层，但可能会继续依旧沿用4plane设计，国际大厂美光的下一代闪存以及长江存储的第四代NAND闪存则是6plane设计，在功耗和能效比上会更有优势。
跟自家第七代V-NAND闪存相比，三星第八代V-NAND的单颗核心容量从之前的512G翻倍到了1T ，同时性能也更强， I/O接口速率从2Gbps提升到了2.4Gbps ，并且支持最新的PCIe5.0标准，性能提升的同时，厚度也得到了控制，据三星官方透露的细节， 512G容量闪存仅0.8mm 。

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【战况激烈！三星有望年内推出236层NAND闪存】编辑点评：NAND厂商马不停蹄地研发，美光率先量产232层3DTLC ，海力士又推出238层4DTLC ，国产的长江存储也迎头赶上，凯侠与西数合作的更高层数TLC也将面世，而三星也即将量产第八代236层TLC ，不少业内人士预估NANDFlash层数能够突破600层以上，未来甚至可能出现“一层”绝胜负的局面，最终谁先触抵NANDFlash层数天花板，我们拭目以待。